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前沿技術閃耀行業(yè)新創(chuàng)新

在剛剛落幕的 PCIM Europe 2025 展會上,安邦半導體不僅展示了其在傳統(tǒng)半導體分立器件領域的深厚技術積累,更憑借創(chuàng)新技術帶來了諸多令人矚目的新產品,為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

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PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

高效節(jié)能的功率二極管與整流橋

安邦半導體在功率二極管和功率整流橋方面進行了技術革新,采用了先進的制造工藝和材料,大幅提升了產品的能效比。這些新型功率二極管和整流橋在相同功率等級下,損耗更低,散熱性能更優(yōu),其熱損耗降低了 20%,能夠有效降低系統(tǒng)能耗,顯著提高了設備的運行效率和穩(wěn)定性。

高性能功率 MOSFET

安邦半導體展示了其最新研發(fā)的高性能功率 MOSFET 系列產品。這些 MOSFET 采用了優(yōu)化的器件結構和先進的封裝技術,具備更低的導通電阻、更高的開關速度和更強的抗干擾能力。在高頻開關應用中,能夠顯著降低開關損耗,提高系統(tǒng)的功率密度和動態(tài)響應速度。

特別值得一提的是,其中一款專為電動汽車充電樁設計的功率 MOSFET,其高頻開關性能優(yōu)異,能夠在高電壓、大電流的復雜工況下穩(wěn)定工作,為充電樁的小型化、高效化提供了有力支持。

創(chuàng)新專利-TVS 小封裝大功率

1. ?小封裝,大功率:?完成業(yè)界未有的雙晶粒封裝,并取得相同封裝雙倍功率的創(chuàng)新專利.

2. ?高壓延伸到800V:?在高壓應用上此TVS可保護后端高價值的電路設備,如逆變器或是電源供應器的一次側高壓保護.

3. ?高可靠性的封裝結構:?新產品使用了4點焊接工藝,在高溫可靠性上的表現優(yōu)于業(yè)內的2點式焊接工藝。

可靠的小信號二、三極管

在小信號二、三極管領域,安邦半導體注重產品的可靠性和一致性。通過嚴格的質量控制,安邦二、三極管在高頻、低噪聲、高增益等方面表現卓越。這些小信號器件廣泛應用于通信、消費電子等領域,為各種精密電路提供了穩(wěn)定可靠的信號放大和切換功能。

在展會現場,安邦半導體還展示了其小信號二、三極管的高精度匹配技術,能夠滿足高端電子產品對信號處理精度的苛刻要求。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

SiC Diode 與 SiC MOSFET?

安邦半導體在寬禁帶半導體材料領域取得了顯著進展,其 SiC Diode 和 SiC MOSFET 產品成為此次展會的一大亮點。SiC 材料具有高耐壓、低導通電阻、高開關頻率等優(yōu)異特性,滿足新能源汽車、可再生能源發(fā)電、工業(yè)電源等高功率、高效率應用場景的需求。

安邦半導體的 SiC Diode 采用了先進的外延生長技術和器件制造工藝,具有高耐壓、低漏電、快速恢復等特點;SiC MOSFET 則在高頻開關性能和高功率密度方面表現出色,能夠大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。

在展會的演示環(huán)節(jié),安邦半導體展示了 SiC MOSFET 在電動汽車逆變器中的應用案例,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,系統(tǒng)效率提升了 15%以上,體積和重量顯著減小。

IGBT 產品升級?

安邦半導體的 IGBT 產品也在不斷升級優(yōu)化。新一代 IGBT 采用了場截止(Field Stop)技術,具備更低的導通壓降、更高的開關速度和更強的短路耐受能力。這些特性使得 IGBT 在電機驅動、變頻器、太陽能逆變器等應用中能夠更好地適應高功率、高效率、高可靠性的要求。在展會現場,安邦半導體展示了其 IGBT 模塊在工業(yè)電機驅動系統(tǒng)中的應用,通過精確的控制和優(yōu)化的散熱設計,實現了電機的高效運行和節(jié)能降耗,為客戶提供了更具競爭力的解決方案。

FRED(快速恢復外延二極管)技術拓展

安邦半導體進一步拓展了 FRED 技術的應用范圍,推出了多款高性能 FRED 產品。這些 FRED 二極管具有快速恢復時間、低反向恢復電荷和高耐壓等優(yōu)點,能夠有效降低開關損耗,提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。在高頻開關電源、逆變器等應用中,FRED 二極管能夠與 MOSFET 等開關器件完美配合,實現高效的功率轉換。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

安邦半導體在 PCIM Europe 2025 展會上展示的新技術成果,源自在研發(fā)、制造和質量控制等方面的強大實力支撐。擁有高素質研發(fā)團隊,涵蓋了半導體器件設計、材料科學、工藝工程等多個領域的專業(yè)人才。緊跟行業(yè)前沿技術動態(tài),不斷投入研發(fā)資源,致力于為客戶提供更具創(chuàng)新性和競爭力的產品解決方案。

在制造環(huán)節(jié),導入了先進的人工智能化生產設備和完善的生產管理體系,確保產品的高質量和高一致性。同時,還建立了嚴格的車規(guī)質量檢測和可靠性驗證流程,從原材料采購到成品出廠,每一個環(huán)節(jié)都經過嚴格把控,保證了產品的卓越品質。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

在 PCIM Europe 2025 展會期間,安邦半導體積極與眾多行業(yè)伙伴進行了交流與合作洽談。通過與上下游產業(yè)的深度合作,安邦半導體將進一步拓展其產品應用領域,推動半導體分立器件技術的廣泛應用。同時也與科研機構、學術機構等開展產學研合作,共同攻克技術難題,培養(yǎng)專業(yè)人才,為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。

總之,安邦半導體在 PCIM Europe 2025 展會上的精彩表現,充分展示了其在半導體分立器件領域的技術實力和創(chuàng)新能力。未來,安邦半導體將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、高效、可靠”的發(fā)展理念,不斷加大研發(fā)投入,持續(xù)推出更多高性能、高附加值的產品,攜手行業(yè)伙伴,共同開創(chuàng)半導體產業(yè)的美好未來。

中國組展機構:盈拓展覽,作為廈門市成長型中小企業(yè),不斷創(chuàng)新發(fā)展。以優(yōu)質服務助力中國外貿企業(yè)走向世界舞臺。

下屆展會時間:2026年06月09號~06月11號

展會地點:德國 紐倫堡

展會行業(yè):電子

(意向參展請點擊詢洽盈拓展覽專業(yè)展會顧問) 

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行
點擊數:137
來源:安邦半導體
2025-05-26 16:11
文章提及展會
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地點:德國.紐倫堡
行業(yè):電子
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在剛剛落幕的 PCIM Europe 2025 展會上,安邦半導體不僅展示了其在傳統(tǒng)半導體分立器件領域的深厚技術積累,更憑借創(chuàng)新技術帶來了諸多令人矚目的新產品,為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

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PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

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高效節(jié)能的功率二極管與整流橋

安邦半導體在功率二極管和功率整流橋方面進行了技術革新,采用了先進的制造工藝和材料,大幅提升了產品的能效比。這些新型功率二極管和整流橋在相同功率等級下,損耗更低,散熱性能更優(yōu),其熱損耗降低了 20%,能夠有效降低系統(tǒng)能耗,顯著提高了設備的運行效率和穩(wěn)定性。

高性能功率 MOSFET

安邦半導體展示了其最新研發(fā)的高性能功率 MOSFET 系列產品。這些 MOSFET 采用了優(yōu)化的器件結構和先進的封裝技術,具備更低的導通電阻、更高的開關速度和更強的抗干擾能力。在高頻開關應用中,能夠顯著降低開關損耗,提高系統(tǒng)的功率密度和動態(tài)響應速度。

特別值得一提的是,其中一款專為電動汽車充電樁設計的功率 MOSFET,其高頻開關性能優(yōu)異,能夠在高電壓、大電流的復雜工況下穩(wěn)定工作,為充電樁的小型化、高效化提供了有力支持。

創(chuàng)新專利-TVS 小封裝大功率

1. ?小封裝,大功率:?完成業(yè)界未有的雙晶粒封裝,并取得相同封裝雙倍功率的創(chuàng)新專利.

2. ?高壓延伸到800V:?在高壓應用上此TVS可保護后端高價值的電路設備,如逆變器或是電源供應器的一次側高壓保護.

3. ?高可靠性的封裝結構:?新產品使用了4點焊接工藝,在高溫可靠性上的表現優(yōu)于業(yè)內的2點式焊接工藝。

可靠的小信號二、三極管

在小信號二、三極管領域,安邦半導體注重產品的可靠性和一致性。通過嚴格的質量控制,安邦二、三極管在高頻、低噪聲、高增益等方面表現卓越。這些小信號器件廣泛應用于通信、消費電子等領域,為各種精密電路提供了穩(wěn)定可靠的信號放大和切換功能。

在展會現場,安邦半導體還展示了其小信號二、三極管的高精度匹配技術,能夠滿足高端電子產品對信號處理精度的苛刻要求。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

SiC Diode 與 SiC MOSFET?

安邦半導體在寬禁帶半導體材料領域取得了顯著進展,其 SiC Diode 和 SiC MOSFET 產品成為此次展會的一大亮點。SiC 材料具有高耐壓、低導通電阻、高開關頻率等優(yōu)異特性,滿足新能源汽車、可再生能源發(fā)電、工業(yè)電源等高功率、高效率應用場景的需求。

安邦半導體的 SiC Diode 采用了先進的外延生長技術和器件制造工藝,具有高耐壓、低漏電、快速恢復等特點;SiC MOSFET 則在高頻開關性能和高功率密度方面表現出色,能夠大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。

在展會的演示環(huán)節(jié),安邦半導體展示了 SiC MOSFET 在電動汽車逆變器中的應用案例,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,系統(tǒng)效率提升了 15%以上,體積和重量顯著減小。

IGBT 產品升級?

安邦半導體的 IGBT 產品也在不斷升級優(yōu)化。新一代 IGBT 采用了場截止(Field Stop)技術,具備更低的導通壓降、更高的開關速度和更強的短路耐受能力。這些特性使得 IGBT 在電機驅動、變頻器、太陽能逆變器等應用中能夠更好地適應高功率、高效率、高可靠性的要求。在展會現場,安邦半導體展示了其 IGBT 模塊在工業(yè)電機驅動系統(tǒng)中的應用,通過精確的控制和優(yōu)化的散熱設計,實現了電機的高效運行和節(jié)能降耗,為客戶提供了更具競爭力的解決方案。

FRED(快速恢復外延二極管)技術拓展

安邦半導體進一步拓展了 FRED 技術的應用范圍,推出了多款高性能 FRED 產品。這些 FRED 二極管具有快速恢復時間、低反向恢復電荷和高耐壓等優(yōu)點,能夠有效降低開關損耗,提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。在高頻開關電源、逆變器等應用中,FRED 二極管能夠與 MOSFET 等開關器件完美配合,實現高效的功率轉換。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

安邦半導體在 PCIM Europe 2025 展會上展示的新技術成果,源自在研發(fā)、制造和質量控制等方面的強大實力支撐。擁有高素質研發(fā)團隊,涵蓋了半導體器件設計、材料科學、工藝工程等多個領域的專業(yè)人才。緊跟行業(yè)前沿技術動態(tài),不斷投入研發(fā)資源,致力于為客戶提供更具創(chuàng)新性和競爭力的產品解決方案。

在制造環(huán)節(jié),導入了先進的人工智能化生產設備和完善的生產管理體系,確保產品的高質量和高一致性。同時,還建立了嚴格的車規(guī)質量檢測和可靠性驗證流程,從原材料采購到成品出廠,每一個環(huán)節(jié)都經過嚴格把控,保證了產品的卓越品質。

PCIM Europe 2025|安邦半導體的精彩之行

在 PCIM Europe 2025 展會期間,安邦半導體積極與眾多行業(yè)伙伴進行了交流與合作洽談。通過與上下游產業(yè)的深度合作,安邦半導體將進一步拓展其產品應用領域,推動半導體分立器件技術的廣泛應用。同時也與科研機構、學術機構等開展產學研合作,共同攻克技術難題,培養(yǎng)專業(yè)人才,為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。

總之,安邦半導體在 PCIM Europe 2025 展會上的精彩表現,充分展示了其在半導體分立器件領域的技術實力和創(chuàng)新能力。未來,安邦半導體將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、高效、可靠”的發(fā)展理念,不斷加大研發(fā)投入,持續(xù)推出更多高性能、高附加值的產品,攜手行業(yè)伙伴,共同開創(chuàng)半導體產業(yè)的美好未來。

中國組展機構:盈拓展覽,作為廈門市成長型中小企業(yè),不斷創(chuàng)新發(fā)展。以優(yōu)質服務助力中國外貿企業(yè)走向世界舞臺。

下屆展會時間:2026年06月09號~06月11號

展會地點:德國 紐倫堡

展會行業(yè):電子

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